美國發(fā)現(xiàn)新型二維半導體材料

2016年3月10日來源：防爆云平臺--防爆產業(yè)鏈一站式O2O服務平臺防爆電氣、防爆電機、防爆通訊、防爆空調瀏覽 2687 次評論 0 次

　　近日，美國猶他大學發(fā)現(xiàn)一種新型二維半導體材料一氧化錫。據(jù)了解，該材料可用于制備計算機處理器和圖形處理器等電子設備內的晶體管，有助于研制出運行速度更快、更加節(jié)約能源的智能手機和計算機等電子設備。
　　
　　當前，電子設備內晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構成，如硅材料。其弊端在于當電子通過時，會在所有層內不受控制地四處彈跳。而新發(fā)現(xiàn)的一氧化錫材料屬于二維半導體材料，玻璃基板只有一層，且間隙只有一兩個原子的厚度，電子只能在這一層中通過。因此，產生的摩擦更少，電子的移動速度變得更快。
　　
　　二維半導體材料近5年成為科學研究熱點，盡管石墨烯、二硫化鉬等多種二維材料已被發(fā)現(xiàn)，但這些二維半導體材料只允許帶負電荷的電子通過，即N型半導體。而用于制造電子設備晶體管的半導體材料，既需要允許帶負電荷的電子通過，也需要帶正電荷的粒子通過，即P型半導體。新發(fā)現(xiàn)的一氧化錫是有史以來第一種穩(wěn)定的P型二維半導體材料。

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