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美國發(fā)現(xiàn)新型二維半導(dǎo)體材料

2016年3月10日 來源：防爆云平臺(tái)--防爆產(chǎn)業(yè)鏈一站式O2O服務(wù)平臺(tái) 防爆電氣、防爆電機(jī)、防爆通訊、防爆空調(diào) 瀏覽 2484 次
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　　近日，美國猶他大學(xué)發(fā)現(xiàn)一種新型二維半導(dǎo)體材料一氧化錫。據(jù)了解，該材料可用于制備計(jì)算機(jī)處理器和圖形處理器等電子設(shè)備內(nèi)的晶體管，有助于研制出運(yùn)行速度更快、更加節(jié)約能源的智能手機(jī)和計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備。
　　
　　當(dāng)前，電子設(shè)備內(nèi)晶體管的玻璃基板由許多層三維材料構(gòu)成，如硅材料。其弊端在于當(dāng)電子通過時(shí)，會(huì)在所有層內(nèi)不受控制地四處彈跳。而新發(fā)現(xiàn)的一氧化錫材料屬于二維半導(dǎo)體材料，玻璃基板只有一層，且間隙只有一兩個(gè)原子的厚度，電子只能在這一層中通過。因此，產(chǎn)生的摩擦更少，電子的移動(dòng)速度變得更快。
　　
　　二維半導(dǎo)體材料近5年成為科學(xué)研究熱點(diǎn)，盡管石墨烯、二硫化鉬等多種二維材料已被發(fā)現(xiàn)，但這些二維半導(dǎo)體材料只允許帶負(fù)電荷的電子通過，即N型半導(dǎo)體。而用于制造電子設(shè)備晶體管的半導(dǎo)體材料，既需要允許帶負(fù)電荷的電子通過，也需要帶正電荷的粒子通過，即P型半導(dǎo)體。新發(fā)現(xiàn)的一氧化錫是有史以來第一種穩(wěn)定的P型二維半導(dǎo)體材料。
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